基于電流跟蹤控制的高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器研制
摘要：針對(duì)高壓鈉燈工作特點(diǎn)以及工作在高頻狀態(tài)下的缺陷，采用電流跟蹤技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種低頻高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器，并設(shè)計(jì)了可靠的邏輯控制啟動(dòng)電路。最后，給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。引言
高壓鈉燈（HPS燈）是一種性能優(yōu)異的高強(qiáng)度氣體放電燈（HID燈），其優(yōu)點(diǎn)是光效高、壽命長(zhǎng)、光色好，所以應(yīng)用廣泛。與所有的氣體放電電光源一樣，高壓鈉燈也呈負(fù)V－I特性，需要鎮(zhèn)流器來(lái)抑制燈電流，而且啟動(dòng)時(shí)需要3～4kV的氣體擊穿電壓。傳統(tǒng)的電感鎮(zhèn)流器體積大，功率因數(shù)低（只能達(dá)到0.3～0.4），而且對(duì)電網(wǎng)電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力不強(qiáng)，所以，研制性價(jià)比較高的電子鎮(zhèn)流器以取代電感鎮(zhèn)流器是大勢(shì)所趨。現(xiàn)已研制的高壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器大都是高頻電子鎮(zhèn)流器，在高頻狀態(tài)下，高壓鈉燈容易熄弧，并存在聲共振問(wèn)題。為避免聲共振，工作頻率需要時(shí)刻圍繞中心頻率上下變化，但這給控制造成不小的困難，為此本文提出了一種基于電流跟蹤控制的低頻電子鎮(zhèn)流器。
1 控制原理與電路分析
電路原理框圖如圖1所示。主電路分為兩級(jí)，第一級(jí)為整流及APFC(有源功率因數(shù)校正電路)，第二級(jí)為逆變電路。可以看出，電子鎮(zhèn)流器實(shí)質(zhì)上是一個(gè)典型的AC/DC/AC變換電路。
1.1 整流及APFC
二極管不控整流的輸入電壓雖然是正弦的，但輸入電流卻嚴(yán)重畸變，大量使用會(huì)給電網(wǎng)造成嚴(yán)重危害。同時(shí)輸入電流諧波生成的噪聲也會(huì)影響電路運(yùn)行。APFC能使電路輸入功率因數(shù)提高到0.95以上；輸入電流基本為正弦波，諧波含量大大減少。這里采用UC3854控制的Boost電路作為APFC電路（圖2）。UC3854是美國(guó)Unitrode公司生產(chǎn)的高功率因數(shù)校正芯片，此芯片采用電壓電流雙閉環(huán)控制，電流內(nèi)環(huán)使用平均電流模式控制。電壓檢測(cè)信號(hào)和同步信號(hào)相乘作為電流給定，Rs為電流檢測(cè)電阻。輸出電壓可在較大范圍內(nèi)進(jìn)行控制，根據(jù)后一級(jí)需要，這里控制在380V。UC3854以及控制電路的電源來(lái)自輔助電源，輔助電源是由脈寬調(diào)制器UC3844控制的反激變換器構(gòu)成的，它可提供多路輸出。
1.2 逆變部分及電流反饋控制
逆變電路是電子鎮(zhèn)流器最重要的部分，通常采用半橋逆變或全橋逆變電路。半橋逆變電路的輸出電壓是全橋的一半，在功率管電流相等的情況下，全橋電路的輸出功率是半橋的2倍，但多用2只功率管。考慮到400W高壓鈉燈二次觸發(fā)電壓在150～190V，且APFC輸出電壓為380V，所以，半橋電路輸出的電壓完全能夠滿足二次觸發(fā)的需要，而且半橋電路與全橋電路功率管的電壓應(yīng)力相同，但前者成本比后者低，因此，在這里采用半橋逆變電路（圖3）。
電子鎮(zhèn)流器的本質(zhì)上就是限制流過(guò)燈的電流。根據(jù)反饋控制規(guī)律，想要控制某個(gè)量，引入這個(gè)量的負(fù)反饋就可以。圖3所示的逆變電路拓?fù)鋵?shí)際上仍然是一種高頻變換器結(jié)構(gòu)，為使流過(guò)高壓鈉燈的電流為低頻電流，這里采用滯環(huán)比較電流跟蹤型PWM控制。其原理如圖3虛線框內(nèi)所示，它由滯環(huán)比較器構(gòu)成。給定電流信號(hào)ig和電流反饋信號(hào)if之差ig－if作為滯環(huán)比較器的輸入，通過(guò)其輸出來(lái)控制S2和S3的通斷。設(shè)燈電流iL的方向如圖3所示，當(dāng)S2（或D2）導(dǎo)通時(shí)，iL增大，當(dāng)S3(或D3)導(dǎo)通時(shí)，iL減小。設(shè)滯環(huán)比較器的環(huán)寬為ΔI，若電流反饋系數(shù)為k（=if/iL），電流iL在（ig－ΔI）/k和（ig＋ΔI）/k范圍內(nèi)呈鋸齒狀跟蹤給定電流，如圖4所示。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，電流給定信號(hào)取自電網(wǎng)電壓正弦波信號(hào)。
S2和S3的切換有兩種模式，分別是雙極性切換和單極性切換。雙極性切換時(shí)，無(wú)論給定電流ig處于正半周期還是負(fù)半周期S2與S3都是互補(bǔ)通斷。單極性切換時(shí)，ig正半周時(shí)，S3始終關(guān)斷，S2進(jìn)行斬波；負(fù)半周時(shí)，S2關(guān)斷，S3斬波。單極性切換原理分析見(jiàn)圖4，即在t0～t1時(shí)段，S2導(dǎo)通，電流iL增大；到t1時(shí)刻，iL增大到比〔ig(t1)＋ΔI〕/k略大一點(diǎn)，滯環(huán)比較器動(dòng)作，S2關(guān)斷，電感L放電，iL經(jīng)電容C2，二極管D3續(xù)流；直到t2時(shí)刻，下降到比〔ig(t2)－ΔI〕/k稍小一點(diǎn)，S2再一次導(dǎo)通，iL又將增大。ig處于負(fù)半周可作同樣的分析。與雙極性切換模式相比，單極性切換有以下優(yōu)點(diǎn)：
1）只有一只功率管動(dòng)作，開(kāi)關(guān)損耗是雙極性切換的一半；
2）主電路各物理量的動(dòng)態(tài)應(yīng)力，如dv/dt及di/dt小于雙極性切換模式，因此，對(duì)控制電路的干擾小于雙極性電路。
但是單極性模式的控制電路要附加一些簡(jiǎn)單的邏輯控制電路。
電感L的大小與滯環(huán)寬度2ΔI決定了開(kāi)關(guān)頻率的高低。當(dāng)其它條件一定時(shí)，開(kāi)關(guān)頻率與電感L和滯環(huán)寬度的乘積成反比。因?yàn)楣β蔒OSFET的開(kāi)關(guān)頻率很高，所以，用較小的電感即能滿足要求。
2 啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
啟動(dòng)電路采用邏輯控制，不須采取高壓隔離措施，簡(jiǎn)化了主電路，并且能瞬時(shí)啟動(dòng)。工作原理如圖5所示。利用LC振蕩原理很容易產(chǎn)生高頻脈
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